锑膜修饰电极差分脉冲溶出伏安法测定食品中痕量铅、镉
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公维磊男讲师研究方向为食品卫生检验

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O657.1;TS207.5

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济宁医学院青年科学基金项目课题


In-situ plating antimony film on gold electrode for the determination of lead and cadmium by differential pulse stripping voltammetry
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    摘要:

    目的考察并优化同位镀锑膜电极差分脉冲溶出伏安法测定铅、镉的条件。方法采用差分脉冲溶出伏安法,以锑膜修饰金电极作为工作电极测定食品中痕量铅、镉离子。结果铅、镉在锑膜电极上可得到灵敏的溶出峰,铅、镉的溶出电位分别为0.58 V(EPb)和0.81 V(ECd)。当电沉积时间为180 s时,铅、镉的检出限分别为1.95和2.10μg/L,RSD分别为1.14%和0.95%,铅、镉溶出峰电流同0~100μg/L铅、镉离子呈良好的线性关系(r≥0.997)。结论利用本方法测定了食品样品中铅、镉的含量,并与石墨炉原子吸收分光光度法做了对比,结果令人满意,同时使用锑膜修饰电极可避免使用汞膜电极带来的环境污染。

    Abstract:

    Objective To investigate and optimize the experiment conditions of determining lead and cadmium with antimony film-plated electrode.Methods Antimony film-plated gold electrode was prepared by in-situ plating for the determination of trace lead and cadmium by differential pulse stripping voltammetry.Results Lead and cadmium displayed well defined peaks in the antimony film-plated electrode by differential pulse stripping voltammetry;and the stripping potential were-0.58 V and-0.81 V for lead and ...

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引用本文

公维磊,杨金玲,王长芹.锑膜修饰电极差分脉冲溶出伏安法测定食品中痕量铅、镉[J].中国食品卫生杂志,2011,23(6):524-527.

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  • 收稿日期:2011-05-03
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